從一起芯片發(fā)明專利侵權(quán)糾紛案談權(quán)利要求的解釋規(guī)則
發(fā)明專利的權(quán)利要求書是對說明書的提煉和歸納，是確定專利權(quán)保護范圍的依據(jù)。由于語言文字表達技術(shù)方案的局限性，權(quán)利要求的解釋也就不可避免。一審法院在解讀權(quán)利要求時，以字面解讀和說明書中發(fā)明人自稱的發(fā)明點為依據(jù)確定權(quán)利要求的保護范圍，出現(xiàn)了紕漏。二審法院則結(jié)合專利審查檔案，客觀公正地劃定了專利權(quán)的保護范圍，糾正了一審判決的錯誤。
(一)
安徽的A公司從事電力電子半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體芯片、電子材料的設(shè)備生產(chǎn)、銷售及進出口業(yè)務(wù)。2014年9月3日，A公司向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請了201410446710.7號“一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專利。2018年7月17日獲得授權(quán)公告，目前為有效法律狀態(tài)。
專利權(quán)利要求1記載：1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)。
專利說明書記載：本發(fā)明的目的是提供一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，解決現(xiàn)有晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)耐壓值低、正反向電壓嚴(yán)重不對稱的問題。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結(jié)構(gòu)。所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)。進一步的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的有益效果：所述電壓槽采用臺階結(jié)構(gòu)，可以有效增大電壓槽的表面積，降低了P層表面濃度，有利于空間電荷區(qū)的展寬，達到降低表面電場強度的效果，提高了工作電壓和晶閘管芯片電參數(shù)的穩(wěn)定性、減小了正反向耐壓的差距。所述一層臺階結(jié)構(gòu)耐壓峰值可以達到1800-3000伏，所述兩層臺階結(jié)構(gòu)耐壓峰值可以達到3000-4000伏。
浙江B公司成立于2004年8月4日，經(jīng)營電力電子器件制造、銷售。2011年2月23日，B公司向國家知識產(chǎn)權(quán)局申請了201120045343.1號“方形晶閘管芯片”實用新型專利。2011年8月31日，該專利獲得授權(quán)公告。
該實用新型專利權(quán)利要求書記載：一種方形晶閘管芯片，包括陰極、硅片和陽極，所述陰極、所述硅片和所述陽極都為扁平狀，所述硅片一面貼有陰極，另一面貼有陽極，所述陰極上開有一通孔，所述通孔內(nèi)設(shè)有門極，所述門極、所述陰極、所述硅片和所述陽極表面都搪有焊料，所述門極與所述陰極之間為門環(huán)極，其特征在于，所述陰極、所述硅片和所述陽極都為方形。根據(jù)權(quán)利要求所述的方形晶閘管芯片，其特征在于，所述陽極的尺寸大于所述硅片的尺寸，所述硅片尺寸大于所述陰極尺寸，所述硅片四周為挖槽工藝得到的臺面，所述臺面表面覆蓋有高溫玻璃。但該專利文件并未直接披露發(fā)明專利201410446710.7權(quán)利要求1中記載的臺階結(jié)構(gòu)。
2020年4月，安徽C公司從B公司購買KP23*23mm、KP18*18mm、KP15*15mm、KP13*13mm四種規(guī)格方形芯片700片。在收到產(chǎn)品后，C公司于同日將芯片送至A公司進行測試。A公司遂于第二天與C公司簽訂《產(chǎn)品銷售合同》，回購該批次產(chǎn)品，并進行了公證。隨后，A公司以B公司產(chǎn)品侵害其發(fā)明專利201410446710.7專利權(quán)為由，將B公司和C公司共同訴至法院，要求B公司停止侵權(quán)并賠償經(jīng)濟損失100萬元等。
在一審中，B公司認(rèn)為檢測報告顯示被訴侵權(quán)產(chǎn)品斜面只有一級臺階結(jié)構(gòu)，沒有二級臺階結(jié)構(gòu)，與涉案專利附圖二一致，但與附圖三不同。涉案專利說明書的第20-22段可以說明涉案專利是二級臺階結(jié)構(gòu)，涉案專利的創(chuàng)新點是具備有兩級及以上臺階結(jié)構(gòu)。簡言之，涉案專利創(chuàng)新點在于二級及以上臺階結(jié)構(gòu)，而被訴侵權(quán)產(chǎn)品只有一級臺階結(jié)構(gòu)，故不構(gòu)成侵權(quán)。
被訴侵權(quán)產(chǎn)品的剖視圖：
涉案專利附圖2和3：
一審法院認(rèn)為，涉案專利的權(quán)利要求1所描述的特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)。從上述權(quán)利要求的文義可看，設(shè)置臺階結(jié)構(gòu)有“均”字，而二級臺階結(jié)構(gòu)沒有要求“均”設(shè)置。因此，所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)即是其創(chuàng)新點，并不強求一定要有二級臺階結(jié)構(gòu)。為了避免對也許無心的“均”字做過度解讀，還有必要結(jié)合專利說明書來解釋。說明書第4段最后一句有“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”，緊接著第5段有“進一步的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)”，再緊接著第6段有“優(yōu)選的，所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”。該說明再次表明，一級臺階設(shè)置即是涉案專利的創(chuàng)新點，而二級臺階設(shè)置是進階版。此外，說明第10段稱“圖2為本發(fā)明一級臺階結(jié)構(gòu)的局部剖視圖”，第11段稱“圖3為本發(fā)明二級臺階結(jié)構(gòu)的局部剖視圖”。第12段所舉的“實施例1”也正是與圖2所示相同的具體實施方式。最終沒有支持B公司的抗辯理由，認(rèn)為被訴侵權(quán)產(chǎn)品落入了涉案專利權(quán)利要求1的保護范圍，構(gòu)成等同侵權(quán)。
收到一審判決后，代理律師調(diào)取了涉案發(fā)明專利在國家知識產(chǎn)權(quán)局實質(zhì)審查階段的審查檔案。經(jīng)查，涉案發(fā)明專利公開的權(quán)利要求書共記載了8項專利要求，其中權(quán)利要求1至4內(nèi)容如下：
1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求2所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求3所述的晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)。
國家知識產(chǎn)權(quán)局在2017年5月26日簽發(fā)的《第一次審查意見通知書》中指出涉案專利公開版本的權(quán)利要求1-3，5，7，8不具有專利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性，同時，還明確指出權(quán)利要求2-3即“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”這一技術(shù)特征已經(jīng)被對比文件3（CN1199930A）公開，不具有專利法第22條第3款規(guī)定的創(chuàng)造性。
A公司針對《第一次審查意見通知書》指出的缺陷對其權(quán)利要求書進行了修改，修改后的權(quán)利要求書共5項權(quán)利要求，其中權(quán)利要求1為：
1.一種晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)，包括長基區(qū)N，短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)N+，濃硼擴散區(qū)P+，電壓槽，所述的電壓槽成環(huán)形結(jié)構(gòu)；其特征在于：所述的電壓槽是耐高壓、表面電場弱的電壓槽結(jié)構(gòu)；所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)。
針對第一次修改后的權(quán)利要求書，國家知識產(chǎn)權(quán)局又發(fā)出了《第二次審查意見通知書》，指出：權(quán)利要求1中限定了“所述電壓槽側(cè)壁的上沿至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”，其中“至少設(shè)置有一級臺階結(jié)構(gòu)”與“設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”限定出了不同的保護范圍，導(dǎo)致權(quán)利要求保護范圍不清楚，不符合專利法第26條第4款的規(guī)定。
針對《第二次審查意見通知書》指出的缺陷，A公司再次對權(quán)利要求書進行了修改，成為前文所述的權(quán)利要求1的最終授權(quán)版本。
結(jié)合涉案專利的審查文件記載的內(nèi)容，B公司向最高人民法院提起了上訴，并指出，根據(jù)最高人民法院《關(guān)于審理侵犯專利權(quán)糾紛案件應(yīng)用法律若干問題的解釋》（法釋【2009】21號）第三條的規(guī)定，人民法院對于權(quán)利要求，可以運用說明書及附圖、權(quán)利要求書中的相關(guān)權(quán)利要求、專利審查檔案進行解釋。說明書對權(quán)利要求用語有特別界定的，從其特別界定。以上述方法仍不能明確權(quán)利要求含義的，可以結(jié)合工具書、教科書等公知文獻以及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的通常理解進行解釋。原審法院僅依據(jù)涉案專利說明書記載的內(nèi)容，特別是專利權(quán)人自稱的發(fā)明點對涉案專利權(quán)利要求進行解釋，不符合最高院司法解釋的相關(guān)規(guī)定，一審法院存在認(rèn)定事實和適用法律錯誤的問題，請求二審法院予以改判。
二審法院經(jīng)過審理認(rèn)為，首先，關(guān)于上述技術(shù)特征的理解。從權(quán)利要求1的撰寫來看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”和“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”兩技術(shù)特征，在后的技術(shù)特征“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”是對在先技術(shù)特征“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”的進一步限定，并非芯微公司主張的兩技術(shù)特征是“或”的關(guān)系。從涉案專利說明書記載的內(nèi)容來看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”的技術(shù)特征是涉案專利為了解決晶閘管芯片的結(jié)終端結(jié)構(gòu)耐壓值低、正反向電壓嚴(yán)重不對稱問題的一個總的發(fā)明構(gòu)思和技術(shù)手段，“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”的技術(shù)特征對應(yīng)于說明書中的第二個實施例，是對前述總的發(fā)明構(gòu)思和技術(shù)手段的進一步具體化。從涉案專利申請授權(quán)階段的審查文檔來看，“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”和“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”兩技術(shù)特征分別是專利申請時原權(quán)利要求2和4的附加技術(shù)特征，在答復(fù)原權(quán)利要求1至3不具有創(chuàng)造性的審查意見時，專利權(quán)人將上述技術(shù)特征合并到原獨立權(quán)利要求1中形成授權(quán)公告的權(quán)利要求1。另外，根據(jù)本領(lǐng)域的現(xiàn)有技術(shù)以及當(dāng)事人確認(rèn)，對晶閘管芯片而言，電壓槽兩側(cè)壁的上沿設(shè)置臺階結(jié)構(gòu)時，兩側(cè)的臺階結(jié)構(gòu)的級數(shù)應(yīng)當(dāng)是一致的，不會出現(xiàn)一側(cè)設(shè)置一級臺階結(jié)構(gòu)而另一側(cè)設(shè)置二級臺階結(jié)構(gòu)的情況。綜上可以確定，權(quán)利要求1中“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”是對“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”對進一步限定，兩技術(shù)特征共同限定的技術(shù)方案應(yīng)當(dāng)理解為“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”。故在本案技術(shù)比對時，應(yīng)將涉案專利中“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)”與“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”劃分為一個技術(shù)特征單元進行比對。進而，在本部分應(yīng)當(dāng)解決的問題應(yīng)為被訴侵權(quán)技術(shù)方案的相應(yīng)特征與權(quán)利要求中1記載的技術(shù)特征“所述電壓槽兩側(cè)壁的上沿均設(shè)置有臺階結(jié)構(gòu)；所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”是否相同或者等同這一問題，而非被訴侵權(quán)技術(shù)方案是否缺少涉案專利權(quán)利要求1中“所述電壓槽側(cè)壁的上沿設(shè)置有二級臺階結(jié)構(gòu)”這一技術(shù)特征的問題。最終最高人民法院支持了B公司的上訴請求，駁回了A公司的全部訴訟請求。
（二）
本案涉及的是專利類案件中最常見的權(quán)利要求解釋規(guī)則問題。我們知道，在專利制度建立的初期，各國專利申請文件和專利文件中都不包括權(quán)利要求書，只包括一個類似今天專利說明書的文件來詳細(xì)說明發(fā)明的內(nèi)容。在確定專利權(quán)保護范圍時，要由法官將授予專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造與現(xiàn)有技術(shù)進行比對，對說明書的內(nèi)容進行提煉，歸納出發(fā)明創(chuàng)造的實質(zhì)和核心。但由此帶來的問題是，在法院作出裁判之前，公眾很難預(yù)料法官會如何確定專利權(quán)的保護范圍，從而給專利保護帶來了很大的不確定性。
為解決這一難題，在英國、德國等國家，由專利申請人自發(fā)開始在專利文件中寫出權(quán)利要求書，而非法律的強制規(guī)定。美國是率先在專利法中明確規(guī)定專利申請文件和專利文件中應(yīng)當(dāng)包括權(quán)利要求書的國家，隨后其他國家也相繼采納。我國《專利法實施細(xì)則》所規(guī)定的發(fā)明或者實用新型的獨立權(quán)利要求的撰寫方式包括前序部分和特征部分，這種方式英文叫作“Jepson寫法”，被《歐洲專利公約》和PCT所推崇。權(quán)利要求書的作用是明確專利申請和專利權(quán)的保護范圍，有了權(quán)利要求書的專利制度才成為現(xiàn)代意義的專利制度。
鑒于權(quán)利要求書是對發(fā)明創(chuàng)造技術(shù)方案的高度提煉和總結(jié)，由于使用語言文字表達技術(shù)方案本身的局限性，因此，不可避免的要對發(fā)生爭議的技術(shù)特征、技術(shù)方案進行合理恰當(dāng)?shù)慕忉屢悦鞔_專利權(quán)的保護范圍。北京市高級人民法院制定的《專利侵權(quán)判定指南（2017）》第15條對專利權(quán)利要求解釋規(guī)則作出了規(guī)定：
15.解釋權(quán)利要求，可以使用專利說明書及附圖、權(quán)利要求書中的相關(guān)權(quán)利要求、與涉案專利存在分案申請關(guān)系的其他專利以及上述專利的專利審查檔案、生效的專利授權(quán)確權(quán)裁判文書所記載的內(nèi)容。
上述方法仍不能明確權(quán)利要求含義的，可以結(jié)合工具書、教科書等公知文獻及本領(lǐng)域普通技術(shù)人員的通常理解進行解釋。
本指南所稱專利審查檔案，包括專利審查、復(fù)審、無效程序中專利申請人或者專利權(quán)人提交的書面材料，國務(wù)院專利行政部門及其專利復(fù)審委員會制作的審查意見通知書、會晤記錄、口頭審理記錄、生效的專利復(fù)審請求審查決定書和專利權(quán)無效宣告請求審查決定書等。
在這一條中明確了專利權(quán)利要求的解釋規(guī)則，其中第一款被稱為“內(nèi)部證據(jù)”，第二款為“外部證據(jù)”，具體運用時采取內(nèi)部證據(jù)優(yōu)于外部證據(jù)的基本規(guī)則。本文案例中，二審法院作出裁判依據(jù)的專利審查檔案屬于內(nèi)部證據(jù)，只有在內(nèi)部證據(jù)不足以解釋清楚權(quán)利要求時才會使用外部證據(jù)進行解釋。涉案專利實質(zhì)審查階段的審查檔案完全可以解釋其權(quán)利要求1的保護范圍，因此，不需要脫離內(nèi)部證據(jù)去通過字面的個人理解進行解釋，本案一審法院在適用專利權(quán)利要求解釋規(guī)則中出現(xiàn)了紕漏。
